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MKA10N160L

更新时间： 2024-09-17 14:55:11

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小信号金氧半電晶體

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MKA10N160L 数据手册

MKA10N160L

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• High speed switch

• Advanced trench cell design

Gate

Applications

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

• Portable appliances

• Power management

Source

Absolute Maximum Ratings(T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

100

± 20

Gate-Source Voltage

V_GS

I_D

2.7

Continuous Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_D

1.2

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

104

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, t ≤ 10 s.

℃

1 / 6

Dated: 22/12/2021 Rev: 01

12 3 4 5 6

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