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MKB02P065U

更新时间： 2024-09-17 14:54:11

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小信号金氧半電晶體

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MKB02P065U 数据手册

MKB02P065U

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Fast Switching Speed

• Low Input Capacitance

• Low Input/Output Leakage

Gate

Applications

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 12

Continuous Drain Current

-I_D

1.5

Pulsed Drain Current ¹⁾

-I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_D

350

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance-Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 23/08/2022 Rev:02

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