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MKB02N029U

更新时间： 2024-11-10 14:53:39

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小信号金氧半電晶體

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MKB02N029U 数据手册

MKB02N029U

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low On-Resistance

• Low Input Capacitance

• Low Miller Charge

• Low Input/Output Leakage

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

Source

Applications

• Load Switch

• Automotive Systems

• Motor / Body Load Control

• DC-DC converters and Off-line UPS

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

± 12

Drain-Gate Voltage

Drain Current - Continuous

Drain Current - Pulsed ¹⁾

I_D

2.5

I_DM

Total Power Dissipation ²⁾

Total Power Dissipation ³⁾

t ≤ 10 s

P_tot

0.8

℃

Steady State

P_tot

0.35

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

156

357

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

t ≤ 10 s

Steady State

R_θJA

1 / 6

Dated: 09/09/2022 Rev:02

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