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MKB03N4K2UK-AH

更新时间： 2025-08-05 14:54:35

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小信号金氧半電晶體

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MKB03N4K2UK-AH 数据手册

MKB03N4K2UK-AH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Fast Switching Speed

Gate

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

V_DS

V_GS

I_D

Continuous Drain Current

380

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

1.2

P_D

300

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_j,T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

417

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 04/07/2023 Rev:02

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