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MKB03P2K5UK

更新时间： 2024-09-17 14:53:03

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小信号金氧半電晶體

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MKB03P2K5UK 数据手册

MKB03P2K5UK

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• High speed switch

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification

Voltage Range(V)

< 125

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 10

200

℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

800

300

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

- 55 to + 150

T_stg

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Thermal Resistance-Junction to Ambient ²⁾

Symbol

R_θJA

Max.

416

Unit

Steady State

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 09/03/2023 Rev:02

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