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MKB10N360L

更新时间： 2024-09-17 14:55:27

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小信号金氧半電晶體

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MKB10N360L 数据手册

MKB10N360L

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Extremely low threshold voltage

• Surface-mounted package

Gate

Applications

1.Gate 2.Source 3.Drain

SOT-323 Plastic Package

Source

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

100

V_GS

± 20

I_D

0.3

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

0.2

Power Dissipation ²⁾

P_D

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 21/09/2022 Rev:02

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