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MKA10P380LS

更新时间： 2024-09-17 14:54:19

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小信号金氧半電晶體

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MKA10P380LS 数据手册

MKA10P380LS

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

Gate

Applications

• Battery protection

• Load switch

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

• Uninterruptible power supply

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified

)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-V_DS

V_GS

-I_D

100

± 20

1.6

-I_DM

P_D

℃

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

125

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 25/09/2023 Rev:02

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