Datasheet > MKA10N160LK

MKA10N160LK

更新时间： 2024-11-10 14:53:35

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		/
页数	文件大小	规格书
6页	447K
描述
小信号金氧半電晶體

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MKA10N160LK 数据手册

MKA10N160LK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• High speed switch

Drain

• Advanced trench cell design

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Power management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

100

V_GS

± 20

Steady State

t ≤ 10 s

4.2

I_D

Continuous Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_D

1.2

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

104

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, t ≤ 10 s.

℃

1 / 6

Dated: 25/05/2023 Rev:02

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与MKA10N160LK相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MKA10N280LKS	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N280LS-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N340LK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N340LK-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N340LZK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N340LZK-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N560L	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N560LK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N560LZK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N560LZK-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體