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MKA10N160LK

更新时间： 2024-11-07 14:53:35

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小信号金氧半電晶體

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MKA10N160LK 数据手册

MKA10N160LK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• High speed switch

Drain

• Advanced trench cell design

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Power management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

100

V_GS

± 20

Steady State

t ≤ 10 s

4.2

I_D

Continuous Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_D

1.2

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

104

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, t ≤ 10 s.

℃

1 / 6

Dated: 25/05/2023 Rev:02

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