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MKA10N340LK

更新时间: 2024-09-17 14:54:51
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先科 - SWST /
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描述
小信号金氧半電晶體

MKA10N340LK 数据手册

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MKA10N340LK  
N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
Drain  
• Built-in G-S Protection Diode  
• Typical ESD Protection HBM Class 2  
Classification  
Voltage Range(V)  
< 125  
Gate  
0A  
0B  
1A  
1B  
1C  
2
125 to < 250  
250 to < 500  
500 to < 1000  
1000 to < 2000  
2000 to < 4000  
4000 to < 8000  
8000  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
SOT-23 Plastic Package  
Source  
3A  
3B  
Application  
• Portable appliances  
• Battery management  
Absolute Maximum Ratings (at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
V
Drain Source Voltage  
Gate Source Voltage  
Drain Current  
VDS  
VGS  
ID  
± 20  
V
A
1
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
IDM  
4
A
Power Dissipation 2)  
W
PD  
1
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Tj, Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
125  
Unit  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 2)  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)  
/W  
.
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.  
®
1 / 6  
Dated: 12/09/2023 Z Rev:02  

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