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MKA06P260LK-AH

更新时间: 2024-11-07 14:54:39
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先科 - SWST /
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6页 427K
描述
小信号金氧半電晶體

MKA06P260LK-AH 数据手册

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MKA06P260LK-AH  
P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
• AEC-Q101 Qualified  
• Surface-mounted package  
• Built-in G-S Protection Diode  
• Halogen and Antimony Free(HAF),  
RoHS compliant  
Drain  
Gate  
• Typical ESD Protection HBM Class 2  
Classification Voltage Range(V)  
Source  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
SOT-23 Plastic Package  
0A  
0B  
1A  
1B  
1C  
2
< 125  
125 to < 250  
250 to < 500  
500 to < 1000  
1000 to < 2000  
2000 to < 4000  
4000 to < 8000  
8000  
3A  
3B  
Applications  
• Portable appliances  
• Battery management  
Absolute Maximum Ratings(at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current  
-VDS  
VGS  
-ID  
± 20  
V
A
2
Pulsed Drain Current 1)  
Power Dissipation 2)  
-IDM  
PD  
8
A
mW  
540  
TJ, Tstg  
- 55 to + 150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
231  
Unit  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 2)  
/W  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)=150°C.  
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.  
®
1 / 6  
Dated: 15/06/2023 Z Rev:03  

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