Datasheet > MKA06P5K4L

MKA06P5K4L

更新时间： 2024-09-17 14:55:23

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		/
页数	文件大小	规格书
6页	492K
描述
小信号金氧半電晶體

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MKA06P5K4L 数据手册

MKA06P5K4L

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

Gate

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

-V_DS

V_GS

± 20

400

-I_D

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

1.2

P_D

500

℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 6

Dated: 09/05/2023 Rev:03

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与MKA06P5K4L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MKA06P7K0LK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA06P7K0LK-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N092LK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N155L	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N160L	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N160LK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N280LKS	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N280LS-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N340LK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA10N340LK-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體