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MKA06N046L-CH

更新时间： 2024-09-17 14:55:51

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小信号金氧半電晶體

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MKA06N046L-CH 数据手册

MKA06N046L-CH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Extremely low threshold voltage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

• High speed switch

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

I_D

± 20

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_D

1.38

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

166

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 26/12/2022 Rev: 01

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