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MKA06N090L-AH

更新时间： 2024-09-17 14:54:55

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小信号金氧半電晶體

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MKA06N090L-AH 数据手册

MKA06N090L-AH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

V_DS

V_GS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

± 20

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

t ≤ 10 s

Steady State

1.38

0.54

Power Dissipation ²⁾

P_D

T_j

- 55 to + 150

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

℃

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Unit

Max.

t ≤ 10 s

Steady State

232

Thermal Resistance - Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 23/08/2023 Rev:02

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