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MKA06P160L-CH

更新时间： 2024-11-07 14:52:47

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小信号金氧半電晶體

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MKA06P160L-CH 数据手册

MKA06P160L-CH

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Advanced trench cell design

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Application

• Portable appliances

• High speed switch

• Battery management

• Low power DC to DC Converter

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

-I_D

1.5

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

Total Power Dissipation ²⁾

P_tot

℃

500

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 21/08/2023 Rev:01

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