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MKA06P160L-CH

更新时间: 2024-11-07 14:52:47
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先科 - SWST /
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6页 437K
描述
小信号金氧半電晶體

MKA06P160L-CH 数据手册

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MKA06P160L-CH  
P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
Drain  
• AEC-Q101 Qualified  
• Surface-mounted package  
• Advanced trench cell design  
• Halogen and Antimony Free(HAF),  
RoHS compliant  
Gate  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
SOT-23 Plastic Package  
Source  
Application  
• Portable appliances  
• High speed switch  
• Battery management  
• Low power DC to DC Converter  
Absolute Maximum Ratings (at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
-VDS  
VGS  
Value  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
60  
± 20  
V
-ID  
1.5  
A
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
-IDM  
A
10  
Total Power Dissipation 2)  
Ptot  
mW  
500  
TJ, Tstg  
- 55 to + 150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
250  
Unit  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 2)  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)=150°C.  
/W  
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.  
1 / 6  
®
Dated: 21/08/2023 Rev:01  

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