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MKA06P260LK

更新时间： 2024-09-17 14:48:03

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小信号金氧半電晶體

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MKA06P260LK 数据手册

MKA06P260LK

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Drain

Classification Voltage Range(V)

Gate

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

-V_DS

V_GS

-I_D

± 20

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

℃

540

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

231

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 15/06/2023 Z Rev:03

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