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MKA02N028U

更新时间： 2024-11-06 14:55:43

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小信号金氧半電晶體

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MKA02N028U 数据手册

MKA02N028U

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

•

Advanced trench process technology

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Application

Source

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

± 12

Drain Current - Continuous

I_D

4.2

Drain Current - Pulsed ¹⁾

I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_D

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

125

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by T_J(MAX)

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 11/04/2022 Rev:03

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