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KTC3620V

更新时间： 2024-01-24 07:56:27

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描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC3620V 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.7 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz	Base Number Matches：	1

KTC3620V 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC3620V

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

VHF/UHF/WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATON.

FEATURES

Low Noise Figure.

High Gain.

DIM MILLIMETERS

1.2 +0.05

0.8 +0.05

0.5+0.05

0.3+0.05

1.2+0.05

0.8+0.05

0.40

0.12+0.05

0.2+0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

Collector Current

100

150

VSM

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

T_j

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

Marking

Type Name

h_FERank

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

100

140

0.7

UNIT

V_CB=5V, I_E=0

I_EBO

V_EB=1V, I_C=0

h_FE(Note1)

Cre (Note2)

V_CE=3V, I_C=10mA

V_CB=3V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=3V, I_C=10mA, f=2GHz

V_CE=3V, I_C=3mA, f=2GHz

Reverse Transfer Capacitance

Transition Frequency

Insertion Gain

0.4

12.0

8.5

1.5

GHz

f_T

|S_21e

7.0

Noise Figure

2.5

Note 1) h_FEClassification 1(01):75~110, 2(02):95~140.

Note 2) C_reis measured by 3 terminal method with capacitance bridge.

2005. 12. 2

Revision No : 0

1/7

12 3 4 5 6 7

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