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KTC3631L PDF预览

KTC3631L

更新时间： 2024-09-20 22:47:27
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
3页 406K
描述
TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE)

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KTC3631L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：6
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：18 MHz

KTC3631L 数据手册

 浏览型号KTC3631L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KTC3631L的Datasheet PDF文件第3页 
SEMICONDUCTOR  
KTC3631D/L  
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
HIGH VOLTAGE SWITCHING.  
A
C
I
FEATURES  
J
Low Collector Saturation Voltage  
: VCE(sat)=0.5V(Max.) at (IC=0.5A).  
High Switching Speed Typically.  
: tf 0.4 S at IC=1A.  
DIM MILLIMETERS  
_
6.60+0.2  
_
6.10+0.2  
_
5.0+0.2  
_
1.10+0.2  
_
2.70+0.2  
_
2.30+0.1  
A
B
C
D
E
F
H
I
1.00 MAX  
_
2.30+0.2  
Complementary to KTA1862D.  
Wide Safe Operating Area (SOA)  
_
0.5+0.1  
_
2.00+0.20  
_
0.50+0.10  
_
0.91+ 0.10  
_
0.90+0.1  
_
1.00+0.10  
J
H
K
L
M
O
P
P
F
L
F
1
2
3
Q
0.95 MAX  
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
SYMBOL  
VCBO  
RATING  
400  
UNIT  
V
DPAK  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
400  
V
VEBO  
A
C
I
7
V
J
DC  
Collector Current  
Pulse  
2.0  
IC  
A
DIM MILLIMETERS  
4.0  
_
6.60 0.2  
+
_
6.10 0.2  
+
A
B
C
D
E
F
_
+
5.0 0.2  
1.0  
Ta=25  
Tc=25  
Collector Power  
Dissipation  
_
1.10  
9.50  
2.30  
0.76  
+
0.2  
0.6  
0.1  
0.1  
PC  
P
W
H
G
_
+
_
+
_
+
10  
G
H
I
1.0 MAX  
_
2.30+0.2  
Tj  
Junction Temperature  
150  
_
0.5 0.1  
+
_
2.0 0.2  
+
J
F
F
L
K
L
P
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
_
+
0.50 0.1  
_
1.0 0.1  
+
1
2
3
Q
0.90 MAX  
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
IPAK  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
VCB=400V, IE=0  
-
-
-
-
1.0  
1.0  
180  
-
A
A
IEBO  
VEB=5.0V, IC=0  
hFE(1) (Note)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
VCE=5.0V, IC=100mA  
VCE=5.0V, IC=500mA  
IC=500mA, IB=100mA  
IC=500mA, IB=100mA  
VCE=10V, IE=-100mA, f=5MHz  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
56  
6
-
100  
-
DC Current Gain  
Collector Saturation Voltage  
Base Saturation Voltage  
Transition Frequency  
0.3  
-
0.5  
1.2  
-
V
-
V
MHz  
pF  
-
18  
30  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
OUTPUT  
ton  
tstg  
tf  
Turn-on Time  
-
-
-
0.2  
1.8  
0.4  
-
-
-
20µsec  
I
B1  
B2  
INPUT  
I
Switching  
Time  
B1  
150Ω  
Storage Time  
Fall Time  
S
I
I
B2  
I
=-I =0.2A  
B2  
B1  
DUTY CYCLE 1%  
V
CC  
=150V  
<
=
Note : hFE(1) Classification O:56 120 , Y:82 180  
2003. 3. 27  
Revision No : 4  
1/3  
123

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