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KTC3770S PDF预览

KTC3770S

更新时间： 2024-11-17 22:47:27
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体放大器晶体管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 441K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER)

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KTC3770S 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.62
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：1 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：7000 MHzBase Number Matches：1

KTC3770S 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTC3770S  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION.  
E
L
B
L
FEATURES  
DIM MILLIMETERS  
Low Noise Figure, High Gain.  
NF=1.1dB, |S21e|2=11dB (f=1GHz).  
_
+
2.93 0.20  
A
B
C
D
E
1.30+0.20/-0.15  
1.30 MAX  
0.45+0.15/-0.05  
2.40+0.30/-0.20  
1.90  
2
3
1
G
H
J
0.95  
0.13+0.10/-0.05  
0.00 ~ 0.10  
0.55  
K
L
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
P
P
M
N
P
0.20 MIN  
1.00+0.20/-0.10  
7
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
20  
12  
M
V
3
V
1. EMITTER  
2. BASE  
Collector Current  
100  
mA  
mW  
3. COLLECTOR  
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
150  
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
SOT-23  
-55 150  
Marking  
h
Rank  
FE  
Lot No.  
Type Name  
R
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
A
VCB=10V, IE=0  
VEB=1V, IC=0  
-
-
-
-
1
1
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
A
hFE (Note1)  
Cob  
VCE=10V, IC=20mA  
50  
-
-
250  
1.0  
1.15  
-
Collector Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Transition Frequency  
Insertion Gain  
-
pF  
pF  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz (Note2)  
Cre  
-
0.65  
7
fT  
VCE=10V, IC=20mA  
5
GHz  
dB  
2
|S21e  
|
VCE=10V, IC=20mA, f=1GHz  
VCE=10V, IC=7mA, f=1GHz  
7.5  
-
11.5  
1.1  
-
Noise Figure  
NF  
2
dB  
Note 1 : hFE Classification  
A:50~100, B:80~160, C:125~250.  
Note 2 : Cre is measured by 3 terminal method with capacitance bridge.  
2003. 2. 12  
Revision No : 1  
1/5  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KTC3770S_0309 KEC

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 		SOT-23 PACKAGE
KTC3770T KEC

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 		TSM PACKAGE
KTC3770U KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER)
KTC3770U_08 KEC

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 		USM PACKAGE
KTC3770UL KEC

获取价格

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