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KTC3790UN

更新时间： 2024-02-13 12:00:39

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KEC		晶体晶体管局域网
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5页	74K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC3790UN 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.065 A	基于收集器的最大容量：	0.9 pF
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	9000 MHz	Base Number Matches：	1

KTC3790UN 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC3790U

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION.

FEATURES

DIM MILLIMETERS

Low Noise Figure, High Gain.

NF=1.2dB, |S_21e|²=13dB (f=1GHz).

2.00+0.20

1.25+0.15

0.90+0.10

0.3+0.10/-0.05

2.10 0.20

0.65

0.15+0.1/-0.06

1.30

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

0.00-0.10

0.70

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

0.42+0.10

0.10 MIN

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

1. EMITTER

2. BASE

1.5

Collector Current

3. COLLECTOR

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

100

T_j

150

T_stg

USM

Storage Temperature Range

-55 150

Marking

Type Name

Rank

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

SYMBOL

I_CBO

I_EBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CB=10V, I_E=0

V_EB=1V, I_C=0

h_FE(Note1)

C_re

V_CE=8V, I_C=20mA

250

0.9

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz (Note2)

V_CE=8V, I_C=20mA

Reverse Transfer Capacitance

Transition Frequency

Insertion Gain

0.35

GHz

f_T

|S_21e

V_CE=8V, I_C=20mA, f=1GHz

V_CE=8V, I_C=7mA, f=1GHz

1.2

Noise Figure

2.5

Note 1 : h_FEClassification

L:50~100, M:80~160, N:125~250.

Note 2 : C_reis measured by 3 terminal method with capacitance bridge.

2005. 11. 16

Revision No : 1

1/5

12 3 4 5

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