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KTC3875Y-TP

更新时间： 2024-01-31 21:16:17

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	918K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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KTC3875Y-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.24
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

KTC3875Y-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

KTC3875-Y

KTC3875-GR

Micro Commercial Components

Features

•

High h_FEand Low Noise

Epitaxial Planar

NPN Transistors

Complementary to KTA1504

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

•

SOT-23

Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Rating

Unit

5.0

℃

150

P_C

Collector power dissipation

Junction Temperature

150

T_J

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

℃

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

DIMENSIONS

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

INCHES

MIN

OFF CHARACTERISTICS

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

I_CBO

Collector-Base Cutoff Current

---

0.1

uAdc

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

(V_CB=60Vdc,I_E=0)

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=5.0Vdc, I_C=0)

I_EBO

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current gain⁽¹⁾

(I_C=2mAdc, V_CE=6.0Vdc)

120

---

0.1

400

0.25

---

Vdc

.085

.37

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=100mAdc, I_B=10mAdc)

---

Suggested Solder

Pad Layout

V_BE(sat)Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=100mAdc,I_B=10mAdc)

f_T

---

1.0

---

Transistor Frequency

---

MHz

.031

.800

(V_CE=10Vdc, I_C=1mAdc)

C_ob

Collector Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

Noise Figure

---

2.0

1.0

3.5

.035

.900

.079

2.000

(V_CE=6V,I_C=0.1mA,Rg=10kohm¸,f=1KHz)

inches

(1) h_FEClassification Y: 120~240(Marking: ALY),

GR: 200~400(Marking: ALG)

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2014/02/17

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KTC3875-Y-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
KTC3876	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
KTC3876	BL Galaxy Electrical	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
KTC3876	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR (NPN)
KTC3876	SECOS	获取价格	0.5A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor
KTC3876	WEITRON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
KTC3876	CJ	获取价格	SOT-23
KTC3876	LGE	获取价格	双极型晶体管
KTC3876	FOSHAN	获取价格	SOT-23
KTC3876_15	KEXIN	获取价格	NPN Transistors

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