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KTC3875

更新时间： 2024-01-03 18:40:18

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	787K
描述
TRANSISTOR (NPN)

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KTC3875 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.62	湿度敏感等级：	1
Base Number Matches：	1

KTC3875 数据手册

KTC3875

TRANSISTOR (NPN)

SOT-23

FEATURES

· High hFE

· Low noise

1. BASE

· Complementary to KTA1504

2. EMITTER

3. COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

150

-55-150

℃

P_C

T_j

T_stg

Storage Temperature

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBO

I_C=100μA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C= 1mA, I_B=0

V_(BR)EBO

I_CBO

I_E= 100μA, I_C=0

V_CB= 60V, I_E=0

V_EB= 5V, I_C=0

0.1

700

0.25

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

h_FE

V_CE= 6V, I_C= 2mA

Collector-emitter saturation voltage

base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat) I_C=100mA, I_B= 10mA

V_BE(sat) I_C=100mA, I_B= 10mA

0.1

_CE=10V, I_C= 1mA

MHz

f_T

Collector output capacitance

V_CB=10V,I_E=0,f=1MH_Z

2.0

1.0

3.5

C_ob

Noise figure

V_CE=6V,I_C=0.1mA,Rg=10kΩ,f=1KH_Z

CLASSIFICATION OF h_FE

350-700

ALL

Rank

70-140

ALO

120-240

ALY

200-400

ALG

Range

Marking

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

12 3

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