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KTC3876-G PDF预览

KTC3876-G

更新时间： 2022-02-26 11:23:30

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1页	405K
描述
NPN Transistors

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KTC3876-G 数据手册

SMD Type

Transistors

NPN Transistors

KTC3876 (KTC3876S)

SOT-23-3

Unit: mm

+0.2

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

3

■ Features

● Excellent hFE Linearity

● Complementary to KTA1505/KTA1505S

1

2

+0.02

-0.02

+0.1

-0.1

0.15

0.95

+0.1

-0.2

1.9

1. Base

2. Emitter

3. Collector

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Symbol

Rating

35

Unit

V

VCBO

VCEO

VEBO

30

5

Collector Current - Continuous

Base Current

I

C

500

50

mA

mW

℃

I

B

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

P

C

150

150

T

J

Storage Temperature Range

T

stg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

35

30

5

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

Ic= 100uA， I

Ic= 1 mA，I =0

= 100uA， I

E= 0

B

I

E

C= 0

I

CBO

EBO

V

V

CB= 35V , I

EB= 5V , I

E

= 0

0.1

0.1

0.25

1.2

1

uA

V

I

C

=0

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

Base - emitte voltage

V

CE(sat)

BE(sat)

I

I

C

=100mA, I

B

=10mA

=10mA

V

C

=100mA, I

B

V

BE

V

V

^CE= 1V, I

CE= 1V, I

C

=100mA

=100mA

C

70

25

40

400

DC current gain

hFE

O

Y

V

^CE= 6V, I

C

=400mA

Collector output capacitance

Transition frequency

C

ob

T

V

V

^CB= 6V, I

^CE= 6V, I

E

= 0,f=1MHz

7

pF

f

C

= 20mA

300

MHz

■ Classification of hfe(1)

Type

Range

Marking

KTC3876-O

70-140

WO

KTC3876-Y

120-240

WY

KTC3876-G

200-400

WG

1

www.kexin.com.cn

1

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