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KTC3770T

更新时间: 2024-11-18 11:32:15
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 19K
描述
TSM PACKAGE

KTC3770T 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.62
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:1 pF
集电极-发射极最大电压:12 V配置:SINGLE
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):7000 MHzBase Number Matches:1

KTC3770T 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
MARKING SPECIFICATION  
KTC3770T  
TSM PACKAGE  
1. Marking method  
Laser Marking  
2. Marking  
2
1
RA  
No.  
Item  
Marking  
Description  
Device Mark  
hFE Grade  
R
A
KTC3770T  
A, B, C  
2002. 1st Week  
[0:1st Character, 1:2nd Character]  
* Lot No.  
01  
Note) * Lot No. marking method  
1
(A)  
2
(B)  
3
(C)  
4
(D)  
5
(E)  
6
(F)  
7
(G)  
8
(H)  
9
(I)  
0
(J)  
1 st Character  
Character  
arrangement  
A
(1)  
B
(2)  
C
(3)  
D
(4)  
E
(5)  
F
(6)  
G
(7)  
H
(8)  
I
(9)  
J
(0)  
2nd Character  
Year  
Marking (Week)  
Periode (Year)  
Remark  
1 st Year (2002)  
2 nd Year (2003)  
3 rd Year (2004)  
4 th Year (2005)  
01  
0A  
J1  
02  
51  
5A  
E1  
EA  
52  
5B  
E2  
EB  
2002-2006-2010...  
2003-2007-2011...  
2004-2008-2012...  
2005-2009-2013...  
0B  
J2  
Rotation for 4 years  
JA  
JB  
2005. 3. 22  
Revision No : 0  
1/1  

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