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KTC3770UL

更新时间： 2024-11-18 03:48:55
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KEC 晶体放大器晶体管局域网
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5页 505K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION

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KTC3770UL 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：1 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-XBCC-N4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：7000 MHzBase Number Matches：1

KTC3770UL 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTC3770UL  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION.  
FEATURES  
C
1
4
Low Noise Figure, High Gain.  
NF=1.1dB, |S21e|2=11dB (f=1GHz).  
A
DIM MILLIMETERS  
_
A
B
C
D
E
1.0+0.05  
_
+
0.6 0.05  
2
0.36-+0.02  
3
3
0.03  
B
_
+
_
0.25 0.03  
0.15 +0.03  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
_
F
0.65+0.03  
H
_
2
1
G
H
0.35 +0.03  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
0.05  
D
D
F
Collector-Base Voltage  
20  
12  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
4
H
G
3
V
E
E
1. Collector  
2. Base  
3. Emitter  
4. Collector  
Collector Current  
100  
mA  
mW  
PC*  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
100  
Tj  
150  
ULP-4  
Tstg  
Storage Temperature Range  
Note : * Mounted on a FR4 board (10  
-55 150  
2
10  
1.0 , Cu Pad :100  
)
Marking  
Type Name  
hFE Rank  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
VCB=10V, IE=0  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
A
-
-
-
-
1
1
IEBO  
VEB=1V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
A
hFE (Note1)  
Cob  
VCE=10V, IC=20mA  
50  
-
-
250  
1.0  
1.15  
-
Collector Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Transition Frequency  
Insertion Gain  
-
pF  
pF  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz (Note2)  
Cre  
-
5
0.65  
7
fT  
VCE=10V, IC=20mA  
GHz  
dB  
2
|S21e  
NF  
|
VCE=10V, IC=20mA, f=1GHz  
VCE=10V, IC=7mA, f=1GHz  
7.5  
-
11.5  
1.1  
-
Noise Figure  
2
dB  
Note 1 : hFE Classification  
A:50~100, B:80~160, C:125~250.  
Note 2 : Cre is measured by 3 terminal method with capacitance bridge.  
2007. 5. 23  
Revision No : 1  
1/5  
12345

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