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KTC3770F

更新时间： 2024-02-16 22:46:09

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描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC3770F 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.62	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz
Base Number Matches：	1

KTC3770F 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC3770F

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION.

FEATURES

· Low Noise Figure, High Gain.

· NF=1.1dB, |S_21e|²=11dB (f=1GHz).

DIM MILLIMETERS

0.6+0.05

0.8 0.05

0.38+0.02/-0.04

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

0.2 0.05

1.0 0.05

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

0.35 0.05

0.1 0.05

0.15+0.05

1. EMITTER

2. BASE

Collector Current

100

℃

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

3. COLLECTOR

T_j

150

TFSM

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

℃

Marking

Type Name

Rank

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CB=10V, I_E=0

V_EB=1V, I_C=0

μA

I_EBO

h_FE(Note1)

C_ob

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

V_CE=10V, I_C=20mA

250

1.0

1.15

Collector Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Transition Frequency

Insertion Gain

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz (Note2)

C_re

0.65

f_T

V_CE=10V, I_C=20mA

GHz

|S_21e

V_CE=10V, I_C=20mA, f=1GHz

V_CE=10V, I_C=7mA, f=1GHz

7.5

11.5

1.1

Noise Figure

Note 1 : h_FEClassification

A:50~100, B:80~160, C:125~250.

Note 2 : C_reis measured by 3 terminal method with capacitance bridge.

2005. 4. 7

Revision No : 0

1/5

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