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KTC3730F

更新时间： 2024-09-22 11:32:15

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KEC		晶体晶体管光电二极管放大器局域网
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描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC3730F 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.5 pF	集电极-发射极最大电压：	11 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3200 MHz
Base Number Matches：	1

KTC3730F 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC3730F

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION.

FEATURES

· Low Noise Figure, High Gain.

· Small rbb’Cc (Typ. 4pS).

DIM MILLIMETERS

0.6+0.05

0.8 0.05

0.38+0.02/-0.04

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

0.2 0.05

1.0 0.05

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

0.35 0.05

0.1 0.05

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

0.15+0.05

1. EMITTER

2. BASE

Collector Current

℃

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

3. COLLECTOR

T_j

150

T_stg

TFSM

Storage Temperature Range

-55∼ 150

℃

Marking

Type Name

Rank

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

500

0.5

180

1.5

UNIT

V_CB=10V, I_E=0

μA

I_EBO

V_CE(sat)

h_FE(Note)

C_ob

V_EB=2V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

I_C=10mA, I_B=5mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

V_CE=10V, I_C=5mA

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=10V, I_E=10mA, f=31.8MHz

Collector Output Capacitance

Collector-Base Time Constant

Transition Frequency

0.8

rbb’Cc

f_T

V_CE=10V, I_C=10mA, f=500MHz

V_CE=6V, I_C=2mA,

1.4

3.2

GHz

Noise Figure

3.5

f=500MHz, Rg=50Ω

Note) h_FEClassification : F:56~120, G:82~180

2005. 4. 7

Revision No : 0

1/3

12 3

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