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KTC3620S

更新时间： 2024-11-18 03:48:55

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KEC		晶体晶体管光电二极管放大器局域网
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7页	73K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC3620S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.7 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz
Base Number Matches：	1

KTC3620S 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC3620S

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

VHF/UHF/WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATON.

FEATURES

Low Noise Figure.

High Gain.

DIM MILLIMETERS

2.93 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.40+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

Collector Current

100

150

SOT-23

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

T_j

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

Marking

Type Name

h_FERank

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

100

140

0.7

UNIT

V_CB=5V, I_E=0

I_EBO

V_EB=1V, I_C=0

h_FE(Note1)

Cre (Note2)

V_CE=3V, I_C=10mA

V_CB=3V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=3V, I_C=10mA, f=2GHz

V_CE=3V, I_C=3mA, f=2GHz

Reverse Transfer Capacitance

Transition Frequency

Insertion Gain

0.4

12.0

GHz

f_T

|S_21e

6.5

Noise Figure

1.5

2.5

Note 1) h_FEClassification 1(01):75~110, 2(02):95~140.

Note 2) C_reis measured by 3 terminal method with capacitance bridge.

2008. 7. 14

Revision No : 0

1/7

12 3 4 5 6 7

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