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KTC3542T

更新时间： 2024-11-18 03:48:55

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管局域网
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描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC3542T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	450 MHz
Base Number Matches：	1

KTC3542T 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC3542T

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS,

MOTOR DRIVERS, STROBES APPLICATION.

FEATURES

DIM MILLIMETERS

ᴌAdoption of MBIT Processes.

2.9+0.2

1.6+0.2/-0.1

ᴌLarge Current Capacitance.

0.70+0.05

ᴌLow Collector-to-Emitter Saturation Voltage.

ᴌHigh-Speed Switching.

0.4+0.1

2.8+0.2/-0.3

1.9+0.2

0.95

ᴌUltrasmall Package Facilitates Miniaturization in end Products.

ᴌHigh Allowable Power Dissipation.

ᴌComplementary to KTA1542T.

0.16+0.05

0.00-0.10

0.25+0.25/-0.15

0.60

0.55

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

Collector Current

I_CP

Pulse

TSM

I_B

Base Current

600

P_C*

T_j

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

0.9

Marking

150

ᴱ

Lot No.

T_stg

-55ᴕ150

ᴱ

Type Name

* Package mounted on a ceramic board (600Ὅᴧ0.8Ὂ)

H H

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP. MAX. UNIT

V_CB=30V, I_E=0

0.1

ỌA

I_EBO

V_EB=4V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CE(sat)1

V_CE(sat)2

V_BE(sat)

h_FE

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_C=10ỌA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

I_E=10ỌA, I_C=0

I_C=1.5A, I_B=30mA

I_C=1.5A, I_B=75mA

I_C=1.5A, I_B=30mA

V_CE=2V, I_C=500mA

V_CE=10V, I_C=500mA

V_CB=10V, f=1MHz

120

105

0.83

180

155

1.2

560

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

200

f_T

Transition Frequency

450

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

PW=20µs

t_on

t_stg

t_f

Turn-On Time

300

DC 1%

OUTPUT

INPUT

24Ω

Swiitching

Storage Time

Time

50Ω

100µF

=-5V

470µF

=12V

Fall Time

20I =-20I =I =500mA

2001. 6. 29

Revision No : 0

1/3

12 3

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