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KTC3551T PDF预览

KTC3551T

更新时间： 2024-11-18 22:39:59
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 92K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC3551T 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：420 MHzBase Number Matches：1

KTC3551T 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTC3551T  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS,  
MOTOR DRIVERS APPLICATION.  
E
B
K
FEATURES  
DIM MILLIMETERS  
_
Adoption of MBIT Processes.  
A
B
2.9+0.2  
1.6+0.2/-0.1  
Large Current Capacitance.  
_
0.70+0.05  
C
D
2
1
3
Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage.  
High-Speed Switching.  
_
0.4+0.1  
E
F
2.8+0.2/-0.3  
_
1.9+0.2  
G
0.95  
Ultrasmall Package Facilitates Miniaturization in end Products.  
High Allowable Power Dis sipation.  
Complementary to KTA1551T.  
_
0.16+0.05  
H
I
0.00-0.10  
0.25+0.25/-0.15  
0.60  
J
K
L
0.55  
I
H
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
J
J
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
V
1. EMITTER  
2. BASE  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
80  
80  
50  
5
3. COLLECTOR  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
A
Emitter-Base Voltage  
DC  
Collector Current  
Pulse  
1.0  
3
TSM  
ICP  
IB  
Base Current  
200  
0.9  
150  
mA  
W
Marking  
PC *  
Tj  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Lot No.  
Tstg  
-55 150  
0.8 )  
Type Name  
H K  
* Package mounted on a ceramic board (600  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
IEBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
VCB=40V, IE=0  
-
-
-
0.1  
0.1  
-
A
A
VEB=4V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
V(BR)CBO  
V(BR)CES  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
VCE(sat)1  
VCE(sat)2  
VBE(sat)  
hFE  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC=10 A, IE=0  
80  
80  
50  
5
-
-
V
IC=100 A, VBE=0  
IC=1mA, IB=0  
-
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
-
-
IE=10 A, IC=0  
-
-
V
IC=500mA, IB=10mA  
IC=300mA, IB=6mA  
IC=500mA, IB=10mA  
VCE=2V, IC=100mA  
VCE=10V, IC=300mA  
VCB=10V, f=1MHz  
-
130  
90  
0.81  
-
190  
135  
1.2  
560  
-
mV  
mV  
V
-
Base-Emitter Saturation Voltage  
DC Current Gain  
-
200  
-
fT  
Transition Frequency  
420  
6
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
I
PW=20µs  
B1  
ton  
tstg  
tf  
Turn-On Time  
-
-
-
35  
330  
40  
-
-
-
I
<
DC 1%  
=
B2  
OUTPUT  
INPUT  
R
B
R
L
V
R
Switching  
Storage Time  
Time  
50Ω  
nS  
100µF  
=-5V  
470µF  
V
V
=25V  
Fall Time  
CC  
BE  
20I =-20I =I =500mA  
B1  
C
B2  
2001. 6. 28  
Revision No : 0  
1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KTC3552T KEC

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