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KTC3543T PDF预览

KTC3543T

更新时间： 2024-11-20 03:48:55
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体驱动器继电器晶体管开关光电二极管电机
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS, STROBES APPLICATION.

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KTC3543T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：290 MHz
Base Number Matches：1

KTC3543T 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTC3543T  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS,  
MOTOR DRIVERS, STROBES APPLICATION.  
E
B
K
FEATURES  
DIM MILLIMETERS  
ᴌAdoption of MBIT Processes.  
ᴌHigh Current Capacitance.  
_
A
B
2.9+0.2  
1.6+0.2/-0.1  
_
C
D
0.70+0.05  
2
1
3
ᴌLow Collector-to-Emitter Saturation Voltage.  
ᴌHigh-Speed Switching.  
_
0.4+0.1  
E
F
2.8+0.2/-0.3  
1.9+0.2  
_
G
0.95  
ᴌUltrasmall-sized Package Permitting Applied sets to  
be made small and slim.  
_
H
I
J
K
L
0.16+0.05  
0.00-0.10  
0.25+0.25/-0.15  
0.60  
ᴌHigh Allowable Power Dissipation.  
ᴌComplementary to KTA1543T.  
0.55  
I
H
J
J
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
1. EMITTER  
2. BASE  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
40  
3. COLLECTOR  
30  
V
6
V
DC  
5
7
TSM  
Collector Current  
A
ICP  
Pulse  
IB  
Base Current  
1.2  
A
Marking  
PC *  
Tj  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
0.9  
W
ᴱ
ᴱ
Lot No.  
150  
Tstg  
-55ᴕ150  
Type Name  
H J  
* Package mounted on a ceramic board (600Ὅᴧ0.8Ὂ)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
VCB=30V, IE=0  
-
-
-
0.1  
0.1  
-
ỌA  
ỌA  
V
IEBO  
VEB=4V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
-
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
hFE  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
DC Current Gain  
IC=10ỌA, IE=0  
40  
30  
6
IC=1mA, IB=0  
-
-
V
IE=10ỌA, IC=0  
-
-
V
IC=2.5A, IB=50mA  
IC=2.5A, IB=50mA  
VCE=2V, IC=500mA  
VCE=10V, IC=500mA  
VCB=10V, f=1MHz  
-
110  
0.82  
-
165  
1.2  
560  
-
mV  
V
-
200  
-
fT  
Transition Frequency  
290  
40  
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
I
B2  
PW=20µs  
B1  
ton  
tstg  
tf  
Turn-On Time  
-
-
-
30  
320  
14  
-
-
-
I
<
DC 1%  
=
OUTPUT  
INPUT  
R
B
R
L
V
R
Swiitching  
Storage Time  
Time  
50Ω  
nS  
100µF  
=-5V  
470µF  
V
V
=12V  
Fall Time  
CC  
BE  
20I =-20I =I =2.5A  
B1  
C
B2  
2001. 6. 29  
Revision No : 0  
1/3  
123

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