Datasheet > KTC3600U

KTC3600U

更新时间： 2024-09-21 11:32:15

品牌	Logo	应用领域
KEC		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	19K
描述
USM PACKAGE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KTC3600U 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.04 A
基于收集器的最大容量：	0.95 pF	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz
Base Number Matches：	1

KTC3600U 数据手册

SEMICONDUCTOR

MARKING SPECIFICATION

KTC3600U

USM PACKAGE

1. Marking method

Laser Marking

2. Marking

No.

Item

Marking

Description

KTC3600U

H, J

Device Mark

hFE Grade

2006. 1st Week

[0:1st Character, 1:2nd Character]

* Lot No.

Note) * Lot No. marking method

(A)

(B)

(C)

(D)

(E)

(F)

(G)

(H)

(I)

(J)

1 st Character

Character

arrangement

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

(8)

(9)

(0)

2nd Character

Year

Marking (Week)

Periode (Year)

Remark

1 st Year (2006)

2 nd Year (2007)

4 rd Year (2008)

4 th Year (2009)

2006-2010-2014...

2007-2011-2015...

2008-2012-2016...

2009-2013-2017...

Rotation for 4 years

2008. 8. 29

Revision No : 1

1/1

中文翻译

下载PDF

与KTC3600U相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KTC3605T	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTC3605U	KEC	获取价格	US6 PACKAGE
KTC3620S	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTC3620U	KEC	获取价格	USM PACKAGE
KTC3620V	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTC3631D	KEC	获取价格	TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE)
KTC3631L	KEC	获取价格	TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE)
KTC3708U	KEC	获取价格	USM PACKAGE
KTC3730F	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTC3730U	KEC	获取价格	USM PACKAGE