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KTC3571S PDF预览

KTC3571S

更新时间： 2024-11-18 05:41:03
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KEC 晶体晶体管局域网
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3页 56K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC3571S 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.8
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

KTC3571S 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTC3571S  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
FEATURE  
· Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)  
· High Collector Current Capability : IC and ICP  
.
.
E
L
B
L
· Higher Efficiency Leading to Less Heat Generation.  
DIM MILLIMETERS  
_
+
2.93 0.20  
A
B
C
D
E
G
H
J
1.30+0.20/-0.15  
1.30 MAX  
0.45+0.15/-0.05  
2.40+0.30/-0.20  
1.90  
2
3
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
1
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
0.95  
120  
0.13+0.10/-0.05  
0.00 ~ 0.10  
0.55  
K
L
100  
V
P
P
M
N
P
0.20 MIN  
1.00+0.20/-0.10  
7
5
1
V
DC  
Collector Current  
A
M
ICP  
Pulse  
3
IB  
Base Current  
300  
350  
150  
-55∼ 150  
mA  
mW  
℃
1. EMITTER  
2. BASE  
PC  
Collector Power Dissipation**  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
3. COLLECTOR  
Tj  
Tstg  
℃
Note : * Package Mounted on 99.5% Alumina 10×8×0.6mm.  
SOT-23  
MARKING  
Lot No.  
Type Name  
KMB  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage **  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
IC=100μA  
IC=1mA  
120  
-
-
-
-
V
V
100  
IE=100μA  
VCB=80V  
5
-
-
V
-
-
100  
100  
100  
0.04  
0.12  
0.2  
1.05  
0.9  
-
nA  
nA  
nA  
IEBO  
VEB=4V, IC=0A  
Emitter Cut-Off Current  
-
-
ICES  
VCES=80V, VBE=0V  
IC=100mA, IB=10mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=1A, IB=100mA  
Collector-Emitter Cut-Off Current  
-
-
-
VCE(sat) (1)  
VCE(sat) (2)  
VCE(sat) (3)  
VBE(sat)  
VBE  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage **  
-
-
V
-
-
IC=1A, IB=100mA  
Base-Emitter Saturation Voltage **  
Base-Emitter Voltag  
-
-
V
V
VCE=10V, IC=1A  
-
-
hFE(1)  
hFE(2)  
hFE(3)  
hFE(4)  
fT  
VCE=10V, IC=1mA  
VCE=10V, IC=250mA  
VCE=10V, IC=500mA  
VCE=10V, IC=1A  
150  
150  
100  
80  
100  
-
-
-
500  
-
DC Current Gain **  
-
-
-
VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz  
VCB=10V, f=1MHz  
Transition Frequency  
-
-
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
** Pulse Width = 300μS, Duty Cycle≤ 2%.  
9.5  
-
2010. 2. 24  
Revision No : 4  
1/3  
123

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