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KTC3541T PDF预览

KTC3541T

更新时间： 2024-11-17 21:55:43
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC3541T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：450 MHzBase Number Matches：1

KTC3541T 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTC3541T  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS,  
MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION.  
E
B
K
FEATURES  
DIM MILLIMETERS  
ᴌAdoption of MBIT Processes.  
_
A
B
2.9+0.2  
1.6+0.2/-0.1  
ᴌLarge Current Capacitance.  
_
C
D
0.70+0.05  
2
1
3
ᴌLow Collector-to-Emitter Saturation Voltage.  
ᴌHigh Speed Switching.  
_
0.4+0.1  
E
F
2.8+0.2/-0.3  
1.9+0.2  
_
G
0.95  
ᴌUltrasmall Package facilitates miniaturization in end products.  
ᴌHigh Allowable Power Dissipation.  
ᴌComplementary to KTA1541T.  
_
H
I
J
K
L
0.16+0.05  
0.00-0.10  
0.25+0.25/-0.15  
0.60  
0.55  
I
H
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
J
J
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
1. EMITTER  
2. BASE  
40  
30  
3. COLLECTOR  
V
5
V
DC  
1.5  
Collector Current  
A
TSM  
ICP  
Pulse  
3
IB  
Base Current  
300  
0.9  
mA  
W
PC *  
Tj  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Marking  
Lot No.  
150  
-55ᴕ150  
ᴱ
Tstg  
ᴱ
Type Name  
H F  
* Package mounted on a ceramic board (600Ὅᴧ0.8Ὂ)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
VCB=30V, IE=0  
-
-
-
0.1  
0.1  
-
ỌA  
ỌA  
V
IEBO  
VEB=4V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
-
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
hFE  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
DC Current Gain  
IC=10ỌA, IE=0  
40  
30  
5
IC=1mA, IB=0  
-
-
V
IE=10ỌA, IC=0  
-
-
V
IC=750mA, IB=15mA  
IC=750mA, IB=15mA  
VCE=2V, IC=100mA  
VCE=10V, IC=300mA  
VCB=10V, f=1MHz  
-
150  
0.85  
-
225  
1.2  
560  
-
mV  
V
-
200  
-
fT  
Transition Frequency  
450  
20  
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
I
B2  
PW=20µs  
B1  
ton  
tstg  
tf  
Turn-On Time  
-
-
-
35  
205  
30  
-
-
-
I
<
DC 1%  
=
OUTPUT  
INPUT  
R
B
24Ω  
V
R
Swiitching  
Storage Time  
Time  
50Ω  
nS  
100µF  
=-5V  
470µF  
V
V
=12V  
Fall Time  
CC  
BE  
20I =-20I =I =500mA  
B1  
C
B2  
2001. 6. 30  
Revision No : 0  
1/3  
123

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