5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.28 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 50 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-XDMA-N144 |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 144 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX64 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMM466F803BS2-L5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS |
|
| KMM466F803BS2-L6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS |
|
| KMM466F804AS1-L5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, PDMA144 |
|
| KMM466F804AS1-L6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, PDMA144 |
|
| KMM466F804BS1-L5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144 |
|
| KMM466F804CS1-L6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144 |
|
| KMM466F804CS1-L-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
8MX64 EDO DRAM MODULE, 60ns, DMA144 |
|
| KMM466S104BT-F2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX64, 8ns, CMOS, PDMA144, GLASS, SODIMM-144 |
|
| KMM466S104BT-F8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS, PDMA144, GLASS, SODIMM-144 |
|
| KMM466S1723AT2-F0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
