生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SODIMM |
包装说明: | DIMM, DIMM144,32 | 针数: | 144 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.28 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN/SELF REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XZMA-N144 | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 144 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM144,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.0016 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.444 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | ZIG-ZAG | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM466F804CS1-L-6 | SAMSUNG |
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8MX64 EDO DRAM MODULE, 60ns, DMA144 | |
KMM466S104BT-F2 | SAMSUNG |
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DRAM Module, 1MX64, 8ns, CMOS, PDMA144, GLASS, SODIMM-144 | |
KMM466S104BT-F8 | SAMSUNG |
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DRAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS, PDMA144, GLASS, SODIMM-144 | |
KMM466S1723AT2-F0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS | |
KMM466S1723AT2-G0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS | |
KMM466S1724BT2-F0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS | |
KMM466S1724BT2-G0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS | |
KMM466S404BT-FL | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS | |
KMM466S424BT-F0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7ns, CMOS | |
KMM466S424CT-F0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7ns, CMOS |