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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM144,32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N144 |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 144 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM144,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.004 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.6 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMM466S424BT-F0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7ns, CMOS |
|
| KMM466S424CT-F0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7ns, CMOS |
|
| KMM466S424CT-F00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM Module, 4MX64, CMOS, SODIMM-144 |
|
| KMM466S424DT-F0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7ns, CMOS |
|
| KMM466S424DT-G0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7ns, CMOS |
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| KMM466S803AT2-F2 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, CMOS, PDMA144 |
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| KMM466S803AT2-F8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, PDMA144 |
|
| KMM466S823BT2-F0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 7ns, CMOS |
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| KMM466S823BT2-FL | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS |
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| KMM466S823BT3-F0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 7ns, CMOS |
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