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KMM466S424DT-F0

更新时间： 2024-10-01 19:59:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	172K
描述
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7ns, CMOS

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KMM466S424DT-F0 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N144
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

KMM466S424DT-F0 数据手册

KMM466S424DT

PC66 SODIMM

Revision History

Revision 0.0 (July 7, 1999)

• Changed tRDL from 1CLK to 2CLK in OPERATING AC PARAMETER.

• Skip ICC4 value of CL=2 in DC characteristics in datasheet.

• Define a new parameter of tDAL( 2CLK +20ns), Last data in to Active delay in OPERATING AC PARAMETER.

• Eliminated FREQUENCY vs.PARAMETER RELATIONSHIP TABLE.

• Symbol Change Notice

Before

After

Input leakage current (inputs)

Input leakage current

Input leakage current (I/O pins)

Output open @ DC characteristic table

• Test Condition in DC CHARACTERISTIC Change Notice

Symbol

Before

CKE £ VIL(max), tCC = 15ns

CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCC = 15ns

After

CKE £ VIL(max), tCC = 10ns

CC2P , CC3P

CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCC = 10ns

CC2N , CC3N

Input signals are changed one time during 30ns

Input signals are changed one time during 20ns

2 Banks activated

4 Banks activated

CC4

• Added Notes @OPERATING AC PARAMETER

Notes : 5. For -0, tRDL=1CLK and tDAL=1CLK+20ns is also supported .

SAMSUNG recommends tRDL=2CLK and tDAL=2CLK + 20ns.

REV. 0.0 July 1999

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