生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | DIMM, DIMM144,32 | 针数: | 144 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.28 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 7 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N144 |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 144 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX64 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM144,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 座面最大高度: | 29.21 mm |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.008 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM466S823DT2-G0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 7ns, CMOS, SODIMM-144 | |
KMM466S824BT2-F0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 7ns, CMOS | |
KMM47 | TYSEMI |
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SILICON PLANAR ZENER DIODES | |
KMM47 | KEXIN |
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Zener Diodes | |
KMM48 | TYSEMI |
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SILICON PLANAR ZENER DIODES | |
KMM48257-12 | SAMSUNG |
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Nibble Mode DRAM, 256KX8, 120ns, MOS | |
KMM49 | TYSEMI |
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SILICON PLANAR ZENER DIODES | |
KMM5 | TYSEMI |
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SILICON PLANAR ZENER DIODES | |
KMM5.1 | KEXIN |
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Zener Diodes | |
KMM5.6 | KEXIN |
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Zener Diodes |