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KMM531003BG-6

更新时间: 2024-02-18 15:59:13
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三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
Fast Page DRAM Module, 1MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72

KMM531003BG-6 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:,针数:72
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
JESD-30 代码:R-XSMA-N72内存密度:37748736 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:36
功能数量:1端口数量:1
端子数量:72字数:1048576 words
字数代码:1000000组织:1MX36
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO技术:CMOS
端子形式:NO LEAD端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

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