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KMM5321000WG-8

更新时间： 2024-11-21 20:39:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
6页	145K
描述
Fast Page DRAM Module, 1MX32, 80ns, CMOS, SIMM-72

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KMM5321000WG-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	,	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.82
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	备用内存宽度：	16
JESD-30 代码：	R-XSMA-N72	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	72	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM5321200AW-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM5321200AW-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM5321200BW/BWG-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM5321200BWG-7	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
KMM5321200C2W	SAMSUNG	获取价格	1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base)
KMM5321200C2W-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
KMM5321200C2WG	SAMSUNG	获取价格	1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base)
KMM5321200C2WG-5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 50ns, CMOS, DIMM-72
KMM5321200C2WG-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
KMM5321204AW/AWG-7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72