生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIMM |
包装说明: | SIMM, SSIM72 | 针数: | 72 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.28 | 风险等级: | 5.75 |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 50 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XSMA-N72 | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 72 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16MX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | SIMM |
封装等效代码: | SSIM72 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
最大待机电流: | 0.008 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.96 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM53216004BK-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216004BKG | SAMSUNG |
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16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216004BKG-5 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216004BKG-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216004CK | SAMSUNG |
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16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216004CK-50 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216004CK-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216004CK-60 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216004CKG | SAMSUNG |
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16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216004CKG-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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