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KMM53216004BK-6

更新时间： 2024-01-28 19:15:40
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 402K
描述
EDO DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72

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KMM53216004BK-6 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIMM
包装说明：SIMM, SSIM72针数：72
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.28风险等级：5.75
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XSMA-N72内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE内存宽度：32
功能数量：1端口数量：1
端子数量：72字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX32输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：SIMM
封装等效代码：SSIM72封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
最大待机电流：0.008 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.88 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

KMM53216004BK-6 数据手册

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DRAM MODULE  
KMM53216004BK/BKG  
KMM53216004BK/BKG EDO Mode  
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
The Samsung KMM53216004B is a 16Mx32bits Dynamic  
RAM high density memory module. The Samsung  
KMM53216004B consists of eight CMOS 16Mx4bits DRAMs  
in SOJ packages mounted on a 72-pin glass-epoxy substrate.  
A 0.1 or 0.22uF decoupling capacitor is mounted on the  
printed circuit board for each DRAM. The KMM53216004B is  
a Single In-line Memory Module with edge connections and is  
intended for mounting into 72 pin edge connector sockets.  
• Part Identification  
- KMM53216004BK(4K cycles/64ms Ref, SOJ, Solder)  
- KMM53216004BKG(4K cycles/64ms Ref, SOJ, Gold)  
• Extended Data Out Mode Operation  
• CAS-before-RAS & Hidden Refresh capability  
• RAS-only refresh capability  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Single +5V±10% power supply  
PERFORMANCE RANGE  
• JEDEC standard PDpin & pinout  
• PCB : Height(1250mil), double sided component  
Speed  
-5  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
13ns  
15ns  
tRC  
tHPC  
20ns  
25ns  
84ns  
104ns  
-6  
PIN CONFIGURATIONS  
PIN NAMES  
Pin  
Symbol  
Pin  
Symbol  
Pin Name  
Function  
A0 - A11  
Address Inputs  
1
2
3
4
5
6
7
8
VSS  
DQ0  
DQ18  
DQ1  
DQ19  
DQ2  
DQ20  
DQ3  
DQ21  
Vcc  
NC  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A10  
DQ4  
DQ22  
DQ5  
DQ23  
DQ6  
DQ24  
DQ7  
DQ25  
A7  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
NC  
NC  
Vss  
CAS0  
CAS2  
CAS3  
CAS1  
RAS0  
NC  
DQ0-7, DQ9-16  
DQ18-25, DQ27-34  
Data In/Out  
W
Read/Write Enable  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Presence Detect  
Power(+5V)  
RAS0, RAS2  
CAS0 - CAS3  
PD1 -PD4  
Vcc  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
NC  
W
NC  
DQ9  
DQ27  
DQ10  
DQ28  
DQ11  
DQ29  
DQ12  
DQ30  
DQ13  
DQ31  
Vcc  
DQ32  
DQ14  
DQ33  
DQ15  
DQ34  
DQ16  
NC  
Vss  
Ground  
NC  
No Connection  
PRESENCE DETECT PINS (Optional)  
Pin  
50NS  
60NS  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
Vss  
NC  
Vss  
NC  
NC  
NC  
Vss  
Vss  
A11  
Vcc  
A8  
A9  
NC  
RAS2  
NC  
NC  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
NC  
Vss  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...19

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KMM53216004BKG SAMSUNG

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 		16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM53216004BKG-5 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
KMM53216004BKG-6 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM53216004CK SAMSUNG

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 		16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM53216004CK-50 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
KMM53216004CK-6 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM53216004CK-60 SAMSUNG

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 		16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
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 		EDO DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
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