生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SIMM, |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.74 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 50 ns |
其他特性: | SELF REFRESH; WD-MAX | JESD-30 代码: | R-XSMA-N72 |
长度: | 107.95 mm | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | DRAM MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 72 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2MX32 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | SIMM | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 座面最大高度: | 24.63 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | SINGLE |
宽度: | 5.08 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM5322104CKU-60 | SAMSUNG |
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DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5322104CKUG | SAMSUNG |
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2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V | |
KMM5322104CKUG-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72 | |
KMM5322200BW/BWG-6 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5322200BW/BWG-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5322200C2W | SAMSUNG |
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2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V | |
KMM5322200C2W-5 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 2MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5322200C2WG | SAMSUNG |
获取价格 |
2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V | |
KMM5322200C2WG-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5322204AW/AWG-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |