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KMM5322204C2W-6

更新时间： 2024-09-13 14:09:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	452K
描述
EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72

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KMM5322204C2W-6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	SIMM, SSIM72	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N72
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	72
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	SIMM	封装等效代码：	SSIM72
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	19.05 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.284 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM5322204C2W-60	SAMSUNG	获取价格	DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322204C2WG	SAMSUNG	获取价格	2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V
KMM5322204C2WG-5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX32, 50ns, CMOS, DIMM-72
KMM5322208AU-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322208AU-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322208AUG-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM532256BW-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 256KX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM532256BWG-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 256KX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM532256BWG-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 256KX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM532256BWG-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 256KX32, 80ns, CMOS, SIMM-72