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KMM5322104CKUG-6

更新时间: 2024-11-11 14:51:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 207K
描述
EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72

KMM5322104CKUG-6 技术参数

生命周期:Active包装说明:SIMM-72
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:SELF REFRESH; WD-MAXJESD-30 代码:R-XSMA-N72
长度:107.95 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:DRAM MODULE内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:72字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX32封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:SIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY座面最大高度:24.63 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:SINGLE宽度:5.08 mm
Base Number Matches:1

KMM5322104CKUG-6 数据手册

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