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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIMM |
| 包装说明： | SIMM, SSIM72 | 针数： | 72 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FAST PAGE | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XSMA-N72 |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 72 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | SIMM |
| 封装等效代码： | SSIM72 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 512 |
| 座面最大高度： | 25.4 mm | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.25 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMM53232000BK | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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| KMM53232000BKG | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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| KMM53232000CK | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
|
| KMM53232000CKG | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
|
| KMM53232000CKG-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 32MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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| KMM53232004BK | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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| KMM53232004BKG | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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| KMM53232004BKG-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 32MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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| KMM53232004BKG-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 32MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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| KMM53232004CK | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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