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KMM5322104CKUG

更新时间： 2024-09-12 22:15:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器
页数 文件大小 规格书
15页 268K
描述
2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V

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KMM5322104CKUG 数据手册

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DRAM MODULE  
KMM5322104CKU/CKUG  
KMM5322104CKU/CKUG Fast Page Mode with Extended Data Out  
2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
The Samsung KMM5322104CKU is a 2Mx32bits Dynamic  
RAM high density memory module. The Samsung  
KMM5322104CKU consists of four CMOS 2Mx8bits DRAMs in  
28-pin SOJ package mounted on a 72-pin glass-epoxy sub-  
strate. A 0.1 or 0.22uF decoupling capacitor is mounted on the  
printed circuit board for each DRAM. The KMM5322104CKU is  
a Single In-line Memory Module with edge connections and is  
intended for mounting into 72 pin edge connector sockets.  
• Part Identification  
- KMM5322104CKU(2048 cycles/32ms Ref, SOJ, Solder)  
- KMM5322104CKUG(2048 cycles/32ms Ref, SOJ, Gold)  
• Fast Page Mode with Extended Data Out  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Single +5V±10% power supply  
• JEDEC standard PDPin & pinout  
PERFORMANCE RANGE  
• PCB : Height(1000mil), single sided component  
Speed  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
13ns  
15ns  
tRC  
tHPC  
25ns  
30ns  
-5  
90ns  
110ns  
-6  
PIN CONFIGURATIONS  
PIN NAMES  
Pin  
Symbol  
Pin  
Symbol  
Pin Name  
A0 - A10  
Function  
Address Inputs  
Data In/Out  
1
2
3
4
5
6
7
8
VSS  
DQ0  
DQ18  
DQ1  
DQ19  
DQ2  
DQ20  
DQ3  
DQ21  
Vcc  
NC  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
NC  
NC  
Vss  
DQ0 - DQ31  
CAS0  
CAS2  
CAS3  
CAS1  
RAS0  
Res(RAS1)  
NC  
W
Read/Write Enable  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Presence Detect  
Power(+5V)  
RAS0  
CAS0 - CAS3  
PD1 -PD4  
Vcc  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
W
NC  
DQ9  
Vss  
Ground  
DQ27  
DQ10  
DQ28  
DQ11  
DQ29  
DQ12  
DQ30  
DQ13  
DQ31  
Vcc  
DQ32  
DQ14  
DQ33  
DQ15  
DQ34  
DQ16  
NC  
NC  
No Connection  
Reserved Pin  
Res  
A10  
DQ4  
DQ22  
DQ5  
DQ23  
DQ6  
DQ24  
DQ7  
DQ25  
A7  
PRESENCE DETECT PINS (Optional)  
Pin  
50NS  
60NS  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
NC  
NC  
Vss  
Vss  
NC  
NC  
NC  
NC  
Res(A11)  
Vcc  
* Pin connection changing available  
A8  
A9  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
NC  
Vss  
Res(RAS1)  
RAS0  
NC  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
NC  
1234567...15

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与KMM5322104CKUG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KMM5322104CKUG-6 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
KMM5322200BW/BWG-6 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322200BW/BWG-7 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322200C2W SAMSUNG

获取价格

 		2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V
KMM5322200C2W-5 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM Module, 2MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322200C2WG SAMSUNG

获取价格

 		2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16, 1K Refresh, 5V
KMM5322200C2WG-6 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322204AW/AWG-6 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322204AW/AWG-7 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322204AW-6 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72

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