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KMM53216004CK-60

更新时间： 2024-01-12 14:14:34

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	430K
描述
EDO DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72

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KMM53216004CK-60 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SIMM,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; WD-MAX	JESD-30 代码：	R-XSMA-N72
长度：	107.95 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	72	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX32	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	SIMM	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	座面最大高度：	31.88 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	SINGLE	宽度：	8.89 mm
Base Number Matches：	1

DRAM MODULE

KMM53216004CK/CKG

4Byte 16Mx32 SIMM

(16Mx4 base)

Revision 0.0

June 1999

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM53216004CKG	SAMSUNG	获取价格	16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM53216004CKG-5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
KMM53216004CKG-6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322000BVG-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322000CV-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322000CVG-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322000CVG-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322100AU-5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322100AU-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM5322100AUG-5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72