生命周期: | Active | 包装说明: | SIMM, |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.75 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 50 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; WD-MAX | JESD-30 代码: | R-XSMA-N72 |
长度: | 107.95 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 72 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16MX32 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | SIMM | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 座面最大高度: | 31.88 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | SINGLE | 宽度: | 8.89 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM53216000CK-60 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216000CKG | SAMSUNG |
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16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216000CKG-5 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216000CKG-6 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216004BK | SAMSUNG |
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16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216004BK-5 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216004BK-6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216004BKG | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216004BKG-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216004BKG-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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